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题名	Improvement of β-Ga2O3 MIS-SBD Interface Using Al-Reacted Interfacial Layer
作者	He, Minghao1,2 ; Cheng, Wei-Chih 1,3; Zeng, Fanming 1,4,5; Qiao, Zepeng1,4,5 ; Chien, Yu-Chieh 2; Jiang, Yang1,4,5 ; Li, Wenmao1,4,5 ; Jiang, Lingli1,4,5 ; Wang, Qing1,4,5 ; Ang, Kah-Wee 2; Yu, Hongyu1,4,5
通讯作者	Ang, Kah-Wee; Yu, Hongyu
发表日期	2021-07
DOI	10.1109/TED.2021.3081075
发表期刊	IEEE Transactions on Electron Devices 影响因子和分区
ISSN	1557-9646
卷号	68 期号:7页码:3314-3319
关键词	C–V diode gallium oxide inhomogeneity J–V metal-interlayer-semiconductor Schottky contact
相关链接	[IEEE记录]
收录类别	SCI ; EI
学校署名	第一 ; 通讯
WOS记录号	WOS:000665041900024
EI入藏号	20212310473786
EI主题词	Alumina ; Atomic layer deposition ; Schottky barrier diodes ; Semiconductor diodes
EI分类号	Semiconductor Devices and Integrated Circuits:714.2 ; Inorganic Compounds:804.2 ; Coating Techniques:813.1
ESI学科分类	ENGINEERING
来源库	IEEE
全文链接	https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9444549
引用统计	被引频次[WOS]：5
成果类型	期刊论文
条目标识符	http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/240220
专题	工学院_深港微电子学院
作者单位	1.Southern Univ Sci & Technol, Sch Microelect, Shenzhen 518055, Peoples R China 2.Natl Univ Singapore, Dept Elect & Comp Engn, Singapore 117583, Singapore 3.Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Elect & Comp Engn, Hong Kong, Peoples R China 4.Minist Educ, Engn Res Ctr Integrated Circuits Next Generat Com, Shenzhen 518055, Peoples R China 5.Shenzhen Inst Wide Bandgap Semicond, Shenzhen 518100, Peoples R China
第一作者单位	深港微电子学院
通讯作者单位	深港微电子学院
第一作者的第一单位	深港微电子学院
推荐引用方式 GB/T 7714	He, Minghao,Cheng, Wei-Chih,Zeng, Fanming,et al. Improvement of β-Ga2O3 MIS-SBD Interface Using Al-Reacted Interfacial Layer[J]. IEEE Transactions on Electron Devices,2021,68(7):3314-3319.
APA	He, Minghao.,Cheng, Wei-Chih.,Zeng, Fanming.,Qiao, Zepeng.,Chien, Yu-Chieh.,...&Yu, Hongyu.(2021).Improvement of β-Ga2O3 MIS-SBD Interface Using Al-Reacted Interfacial Layer.IEEE Transactions on Electron Devices,68(7),3314-3319.
MLA	He, Minghao,et al."Improvement of β-Ga2O3 MIS-SBD Interface Using Al-Reacted Interfacial Layer".IEEE Transactions on Electron Devices 68.7(2021):3314-3319.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可	操作
Improvement_of_-Ga2O（1117KB）	--	--	限制开放	--